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nittoseiko環(huán)氧樹(shù)脂半導(dǎo)體薄膜高電阻率計(jì)

nittoseiko環(huán)氧樹(shù)脂半導(dǎo)體薄膜高電阻率計(jì)
用途：測(cè)量絕緣材料、半導(dǎo)體薄膜、防靜電層等的高表面電阻率（Ω/□）與體積電阻率（Ω·cm），覆蓋 10³–10¹? Ω 的超寬量程，適用于研發(fā)、品管、FA 實(shí)驗(yàn)室。

產(chǎn)品型號(hào)：MCP-HT800
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
更新時(shí)間：2025-11-21
訪問(wèn) 量：132

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nittoseiko環(huán)氧樹(shù)脂半導(dǎo)體薄膜高電阻率計(jì)
nittoseiko環(huán)氧樹(shù)脂半導(dǎo)體薄膜高電阻率計(jì)
用途：測(cè)量絕緣材料、半導(dǎo)體薄膜、防靜電層等的高表面電阻率（Ω/□）與體積電阻率（Ω·cm），覆蓋 103–101? Ω 的超寬量程，適用于研發(fā)、品管、FA 實(shí)驗(yàn)室。

二、核心

超寬量程單臺(tái)覆蓋

103 – 101? Ω（@ 1 V–1000 V），無(wú)需更換主機(jī)即可測(cè)防靜電薄膜到絕緣樹(shù)脂。

1 V–1000 V 可編程掃描

29 檔施加電壓，帶“自動(dòng)電壓掃描"模式，一次獲得電阻-電壓曲線，便于研究材料的非線性、擊穿特性。

雙環(huán)電極 + 表面/體積切換

符合 JIS K 6911、ASTM D257 的同心雙環(huán)電極，標(biāo)配 UR-SS 探頭；主機(jī)內(nèi)置繼電器，一鍵完成表面 ? 體積電阻率切換，無(wú)需外接切換盒。

超低泄漏電流輸入

前置放大器輸入阻抗 > 2×101? Ω，最小分辨電流 0.1 fA，保證 101? Ω 量級(jí)仍具 ±2 % 精度。

樣品帶電自動(dòng)放電

測(cè)量前/后自動(dòng)施加反向電壓放電，防止靜電殘留導(dǎo)致誤差或擊穿。

溫濕度同步記錄

內(nèi)置溫濕度傳感器，數(shù)據(jù)文件自動(dòng)附帶 T/RH，方便進(jìn)行 IEC 61340 標(biāo)準(zhǔn)條件下的電阻率對(duì)比。

多模式軟件

定時(shí)測(cè)量、斜坡掃描、階躍電壓、I-t 曲線、回讀電流-時(shí)間衰減，可用于評(píng)估材料極化、陷阱能級(jí)。

數(shù)據(jù)輸出

2000 組內(nèi)部存儲(chǔ) + USB 直接導(dǎo)出 CSV/PDF；可選 LAN 接口，與 LIMS 對(duì)接。

三、典型應(yīng)用

防靜電包裝材料（袋、泡棉、周轉(zhuǎn)箱）表面電阻率 IEC 61340-5-1 認(rèn)證測(cè)試
電子紙、OLED 絕緣層、TFT 鈍化層體積電阻率評(píng)價(jià)
光伏背板、封裝 EVA、POE 絕緣層 FA 分析
半導(dǎo)體/LED 封裝環(huán)氧樹(shù)脂、PI、BCB 薄膜高阻評(píng)估
功能性薄膜：透明絕緣層、阻水層、DLC 層擊穿特性掃描

項(xiàng)目	參數(shù)
測(cè)量范圍	103 – 101? Ω（電流 1 mA – 0.1 fA）
施加電壓	1 – 1000 V，29 檔，步進(jìn) 1 V（≤100 V）/ 10 V（>100 V）
電壓精度	±0.5 %
電流分辨率	0.1 fA
電極配置	同心雙環(huán)（主電極 φ50 mm，環(huán)電極 φ70 mm）
測(cè)量時(shí)間	1 – 999 s 可設(shè)，自動(dòng)判定穩(wěn)定后保持
精度	±2 % @ 10? – 1013 Ω（23 ℃±5 ℃，45–65 %RH）
放電功能	測(cè)量前后自動(dòng)反向放電，時(shí)間 1 – 999 s 可設(shè)
溫濕度記錄	內(nèi)置傳感器，精度 ±0.5 ℃ / ±2 %RH
數(shù)據(jù)輸出	USB（CSV/PDF），可選 LAN
電源	AC100 – 240 V，50/60 Hz，約 60 W
尺寸/重量	330 × 300 × 120 mm，約 5 kg

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